下面為玩家們帶來任天堂 Switch 的密特羅德（又稱銀河戰(zhàn)士系列）新作《密特羅德 生存恐懼》的基本流程攻略與BOSS打法介紹第二部分。

繼上一部分攻略傳送至新的區(qū)域卡塔利斯。

卡塔利斯

右門所通往的地區(qū)均為高溫地區(qū)，先向左邊擊碎隱藏石塊前進(jìn)。一路前往盡頭，操作機關(guān)即可解除熱能暗門。

通過熱能暗門前進(jìn)，穿過EMMI區(qū)域后，操作第二個熱能機關(guān)，然后前往EMMI區(qū)域另外一頭的熱能暗門前進(jìn)。

解鎖裝置的位置

到達(dá)磁鐵面電梯下方，攻擊互動裝置可以啟動上下移動的電梯。通過電梯到達(dá)盡頭處繼續(xù)解鎖熱能裝置。隨后即可返回EMMI區(qū)域通過熱能暗門前進(jìn)。

此處的門會開啟

穿過地圖站，一路穿過若干EMMI區(qū)域后，到達(dá)盡頭操作機關(guān)調(diào)整熔巖的位置。并且啟動下方的磁鐵電梯。

穿過存檔點擊破地圖中的隱藏方塊，可以前往剛才操作熔巖下降后的區(qū)域，扯下上面的電梯，然后繞路從上面通過。繼續(xù)前進(jìn)可前往穿梭器，到達(dá)戴隆。

擊破途中的隱藏方塊

戴隆

擊破圖中的隱藏方塊可以繼續(xù)前進(jìn)，一路前往最深處啟動工廠的電力。

擊碎這里后可以繼續(xù)前進(jìn)

啟動電力的地方

啟動后向右前進(jìn)，使用飛彈可以炸開網(wǎng)格形狀的光束門進(jìn)入可以獲得新能力「寬光束」（解鎖三點光束箱子障礙或者三點光束門）。

從下面擊破隱藏方塊可以離開，然后從大區(qū)域的寬光束箱處繼續(xù)向上穿過EMMI區(qū)域，躲避追捕后返回到戴隆初期區(qū)域繼續(xù)解鎖寬光束箱通過穿梭器返回卡塔利斯。

卡塔利斯

出來后即可立刻解鎖寬光束箱返回卡塔利斯的EMMI區(qū)域，并且穿過寬光束罩前進(jìn)到達(dá)中央單位獲取強化光炮擊敗EMMI。獲得變形球能力（解鎖低洼地區(qū)的移動）。

用新的能力打開這里后深入中央單位

通過左邊的導(dǎo)彈包引導(dǎo)的EMMI區(qū)域出口離開，返回到有個怪物雕像的地方，從怪物雕像的嘴內(nèi)進(jìn)入，正門是高溫地區(qū)，從上面的隱藏路線進(jìn)入，并且通過新的傳送點返回到阿爾塔利亞。

穿過隱藏通道返回阿爾塔利亞

阿爾塔利亞

向左穿過傳送點向上利用變形球的能力移動，操作熱能裝置后，周圍一帶地形會產(chǎn)生變化，并且會變成高溫地帶，此時迅速找到出口脫離當(dāng)前區(qū)域。在終點盡頭處獲得防護服（解鎖高溫地區(qū)的移動）。

從右下進(jìn)入高溫地區(qū)，擊破隱藏的磚塊前進(jìn)，一路穿過剛才操作機關(guān)導(dǎo)致地形變化的地方，可以返回到傳送點處。

擊碎方塊返回卡塔利斯

現(xiàn)目前阿爾塔利亞區(qū)域暫時無法探索。通過傳送點返回卡塔利斯。

卡塔利斯

向下進(jìn)入高溫地區(qū)，一路破壞隱藏的石塊前進(jìn)進(jìn)入BOSS戰(zhàn)。

BOSS-克雷德

第一形態(tài)：彈幕類躲避形式，可以擊破除了火焰以外的任何彈幕，但是BOSS本身只能通過蓄力炮或者飛彈造成傷害；

第二形態(tài)：同樣躲避彈幕，此時可以通過連續(xù)射擊攻擊肚雞眼部分造成傷害，左邊墻壁的磁鐵電梯就會落下來，利用電梯攀在上面攻擊頭部，并且擊碎彈幕以造成傷害，注意對方使用手爪攻擊的時候（拳頭攻擊則要下去，無法反制）使用近戰(zhàn)反擊，可以制造特寫畫面攻擊機會。

BOSS戰(zhàn)后獲得散射光束（解鎖碎裂墻壁障礙點）。通過另外一個傳送點前往戴隆。

打掉肚雞眼后，立刻用磁鐵電梯拉上去攻擊嘴部