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《輻射3》因內(nèi)存問題無故跳出的方法

在《輻射3》這款游戲中,許多玩家在安裝漢化和MOD后遭遇了頻繁的內(nèi)存問題,導(dǎo)致游戲無故跳出。經(jīng)過長達(dá)半年的摸索,我終于找到了一種較為完美的解決方案,以下是我總結(jié)的具體方法。

《輻射3》因內(nèi)存問題無故跳出的方法

首先我發(fā)現(xiàn)當(dāng)游戲進(jìn)程的物理內(nèi)存使用量超過800M時,游戲開始變得不穩(wěn)定,一旦超過1G,游戲必定會跳出。為了解決這個問題,我嘗試了多種方法,包括屏蔽特效、修改FALLOUT.INI參數(shù)、安裝補(bǔ)丁等,但效果均不理想。我的顯卡是5850,CPU為四核3.5G,即使在低特效下游戲也常常出現(xiàn)卡頓。

經(jīng)過試驗(yàn)我發(fā)現(xiàn)使用ramDISK 4G軟件可以將物理內(nèi)存模擬成硬盤,從而有效解決內(nèi)存問題。以下是具體步驟:

  • 使用ramDISK 4G軟件,將3G的物理內(nèi)存模擬成硬盤。由于我的系統(tǒng)只能識別3.25G內(nèi)存,所以我將剩余的3.6G內(nèi)存全部用于模擬硬盤,以確保充分利用物理內(nèi)存。

  • 將虛擬內(nèi)存轉(zhuǎn)移到模擬硬盤上,分配2G的空間。這樣虛擬內(nèi)存實(shí)際上仍在使用物理內(nèi)存,速度與物理內(nèi)存相同,不會造成卡頓,同時也不會損害硬盤。

,此方法對內(nèi)存問題引起的跳出有效,但對顯示、音頻等方面的問題尚未測試。另外游戲開始運(yùn)行的前一兩分鐘可能會有輕微卡頓,這是因?yàn)檎趯懭刖彺妫^一段時間后就會恢復(fù)正常。

對于1G內(nèi)存的玩家,可能不太容易出現(xiàn)內(nèi)存問題。而2G、8G等內(nèi)存的玩家無法使用此軟件,但網(wǎng)上有其他軟件可以實(shí)現(xiàn)物理內(nèi)存模擬硬盤的功能,玩家可以根據(jù)自己的情況自行研究。

總之這個方法可以繞過《輻射3》在內(nèi)存管理上的問題,讓玩家能夠更順暢地享受游戲。如果這個方法對您有幫助,請務(wù)必回來分享您的使用效果。畢竟好游戲不多得,希望大家都能玩得開心。

更新信息:

  • 7月18日,我找到了一個簡單的測試方法:開啟所有特效和最大分辨率,使用快速旅行到大地圖上的不同地點(diǎn),盡量到場景復(fù)雜的地方。如果能堅持十次不跳出,那么游戲體驗(yàn)應(yīng)該不會有太大問題。
  • 7月19日,經(jīng)過一天的測試,此方法再次被證明是有效的。雖然這只是個人測試結(jié)果,但希望能幫助到更多受苦受難的玩家。請大家嘗試后回復(fù)使用效果,以便讓更多人受益。

此攻略由游飯?zhí)焯眯【巿F(tuán)隊編輯,祝您游戲愉快!

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